A Samsung está impulsionando o desenvolvimento da memória LPDDR6 usando o avançado processo 1c DRAM, a fim de consolidar sua liderança no mercado frente aos fabricantes chineses emergentes, como a Changxin Memory Technologies (CXMT). Essa estratégia visa manter a vantagem tecnológica diante de uma concorrência cada vez mais forte.
A nova geração de memória promete maior largura de banda e menor consumo de energia, essenciais para aplicações em inteligência artificial, dispositivos móveis, robótica e veículos autônomos. Com essas melhorias, a LPDDR6 atenderá às demandas de tecnologia de ponta nos próximos anos.
CXMT avança rapidamente e pressiona a Samsung
A Changxin Memory Technologies (CXMT) concluiu o desenvolvimento da LPDDR5X no final de 2023 e iniciou a produção em massa no começo de 2024. Além disso, já trabalha na criação da sua própria LPDDR6, com previsão de iniciar sua produção em escala até 2026. Essa evolução rápida exerce pressão sobre a Samsung, que também deve acelerar seu cronograma de produção e inovação tecnológica.
Processo 1c DRAM: diferencial tecnológico da Samsung
Atualmente, a Samsung aposta na fabricação da LPDDR6 por meio do processo 1c DRAM, a sexta geração de tecnologia baseada em nós de 10nm. Essa tecnologia traz maior densidade e eficiência energética, oferecendo vantagens expressivas em desempenho e consumo comparado às gerações anteriores.
Com avanços como a LPDDR5-Ultra-Pro, a empresa já alcançou velocidades de até 12,7 Gbps, demonstrando seu potencial de inovação.
Como funciona o processo 1c DRAM
O termo “1c DRAM” refere-se à sexta geração de processo de fabricação de memória DRAM, envolvendo tecnologias em escala inferior a 12 nm, com foco na miniaturização e aumento da eficiência.
1. Miniaturização extrema
Ao migrar para o processo 1c, transistores e capacitores passam a ser fabricados em escala inferior a 12 nm, aumentando a quantidade de células de memória por chip, sem alterar seu tamanho físico.
2. Técnicas avançadas de litografia
O uso de litografia ultravioleta extrema (EUV) permite criar padrões extremamente precisos, essenciais para a miniaturização nesta tecnologia.
3. Materiais de nova geração
Componentes como materiais low-k e novos dielétricos garantem maior estabilidade e menor interferência elétrica, melhorando a performance do chip.
4. Arquitetura otimizada das células
Designs refinados auxiliam na redução de perdas de energia e na melhoria da retenção de carga, aumentando a eficiência energética.
5. Eficiência térmica e elétrica
Essas tecnologias resultam em maior largura de banda e menor consumo energético, atendendo às demandas de IA, dispositivos móveis e sistemas embarcados.
6. Produção em larga escala
Com o domínio do processo, fabricantes como a Samsung otimizam suas linhas de produção para alcançar altas taxas de rendimento, reduzindo custos e ampliando a competitividade.
Resumindo: o processo 1c DRAM combina avanços em miniaturização, materiais, arquitetura e produção, permitindo a fabricação de chips mais rápidos, densos e eficientes.
“A utilização do processo 1c DRAM será decisiva para ampliar a vantagem tecnológica frente aos concorrentes” afirmou um especialista.
Como a evolução da LPDDR moldou o mercado
A trajetória de quase duas décadas da memória LPDDR revela avanços contínuos em velocidade de transferência e eficiência energética. Essas melhorias aceleraram o desenvolvimento de dispositivos móveis, automotivos e aplicações de inteligência artificial.
A tabela a seguir retrata a evolução da memória LPDDR desde sua primeira versão até as expectativas para a próxima geração, LPDDR6.
| Geração | Ano de lançamento | Processo (nm) | Velocidade máxima (Mbps) | Consumo | Aplicações |
|—|—|—|—|—|—|
| LPDDR1 | 2007–2008 | 80–90 | 400 | Alto | Primeiros smartphones e MP3 |
| LPDDR2 | 2009–2011 | 65–40 | 1066 | Menor que LPDDR1 | Smartfones iniciais |
| LPDDR3 | 2013–2014 | 25–20 | 2133 | Médio | Smartphones avançados |
| LPDDR4 | 2014–2015 | 20 | 3200 | Menor que LPDDR3 | Dispositivos de alta performance |
| LPDDR4X | 2017 | 16–18 | 4266 | Menor que LPDDR4 | Wearables e smartphones premium |
| LPDDR5 | 2019 | 12–14 | 6400 | Menor que LPDDR4X | 5G, IA embarcada |
| LPDDR5X | 2022 | 10–12 | 8533 | Redução de consumo | AR/VR, automotivos |
| LPDDR6 (prevista) | 2025–2026 | 1c (~10 nm ou menor) | >10.000–12.800 | 20–30% menor que LPDDR5X | IA, robótica, notebooks, smartphones Nova Geração |
Notas importantes
- As velocidades são teóricas máximas por pino e podem variar na prática.
- Nos processos avançados, há uso de tecnologias híbridas por fabricantes.
- A partir do LPDDR5, há foco em otimizar eficiência energética sob cargas intensas.
- As primeiras memórias foram essenciais para a mobilidade moderna, com avanços contínuos ao longo do tempo.
- Destaca-se o grande salto de eficiência no LPDDR4 e evoluções futuras visam consumo cada vez menor.
Qualcomm antecipará adoção da LPDDR6
A Samsung já trabalha junto à Qualcomm na implementação da LPDDR6 em seus futuros dispositivos. O próximo chipset Snapdragon 8 Elite Gen 2, previsto para setembro de 2025, deverá oferecer suporte à nova memória, com melhorias de 30% a 40% em desempenho em relação à LPDDR5X.
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Implicações para o mercado global de semicondutores
A adoção da LPDDR6 pela Samsung reforça sua liderança em memórias de baixo consumo, enquanto a CXMT busca acelerar sua produção e reduzir a diferença tecnológica. Essa competição acirrada impulsiona inovação e favorece consumidores com produtos mais acessíveis e avançados.
Por outro lado, problemas como aquecimento e rendimento limitam a expansão da CXMT a curto prazo, enquanto a Samsung usa sua tecnologia avançada para consolidar sua posição. Essa disputa promete acelerar o desenvolvimento do setor e ampliar as opções do mercado.
Fonte: Business Post
